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Si4505DY
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.10
0.08
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 7.8 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
0.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
100
80
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.0
60
- 0.2
40
- 0.4
- 0.6
- 0.8
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
1 mS
10
1
T A = 25 °C
10 mS
100 mS
0.1
Single Pulse
1S
10 S
DC
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
Document Number: 71826
S09-0868-Rev. C, 18-May-09
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